教大家识别内存颗粒上的编号 颗粒粒径在线图像识别

2009/2/18

1、海力士(Hynix)

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海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头

·第3、4位“5P”代表DDR2

·第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V

·第6、7位代表容量,本例中“12”代表512Mb,其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。该值除以8即为单颗容量,再乘以颗粒数便是整条内存的容量

·第8、9位代表颗粒位宽,如果为“4”和“8”,则只占编号中的第8位,如本例所示;如果为“16”和“32”,则占第8、9位

·第10位代表逻辑Bank数。其中“1”为2Banks,“2”为4Banks,而“3”为8Banks

·第11位代表接口类型。比如“1”为SSTL_18,另外,“2”为SSTL_2

·第12、13位代表产品的规格,比如C4:速度为DDR2 5333 4-4-4,如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3,字母越靠后越好

海力士内存颗粒的超频性一向不错,比如C5、C3,特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超,一般都可以超到1000MHz的水准,因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说,是极不错的选择

常采用的内存模块厂商:很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒,如创见、威刚、超胜等。

2、三星(Samsung)

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·三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头,代表Memory DRAM的意思

·第三位“T”代表内存为DDR2内存

·第四、第五位代表容量,其中51代表512MB容量,如果为56则是256MB容量,1G为1GB容量,2G为2GB容量

·第六、第七位代表位宽,08:×8位宽,如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16

·第八位代表逻辑Bank,其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks,如果是4则为8Banks

·第九位代表接口类型,一般为“Q”,表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V

·第十位代表颗粒版本,其中“B”代表的产品版本为3rd Generation,C为4th Generation,DEFGH依此类推、越新越好

·第十一位代表封装类型,其中“G”代表封装类型为FBGA,如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small)

·第十二位代表功耗类型,其中“C”表示普通能耗,如果是L则为低能耗

·第十三、十四位代表内存速度,其中D5:速度为DDR2 533 4-4-4,如果是D6则为DDR2 677 4-4-4,如果是E6则为DDR2 677 5-5-5,如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。总体来说,三星DDR2内存颗粒的超频性能都不错,即便是D5、E6的DDR2颗粒,也可以超到700MHz、800MHz的水准。

常采用三星内存颗粒的内存模块厂商:三星、金士顿、创见、超胜、Apacer等厂商。
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3、英飞凌(Infineon)

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提起 Infineon(中文名:英飞凌)这家由德国西门子(Siemens)公司半导体部改组而来的世界顶级半导体芯片制造商,其生产的内存颗粒一直被全世界的电脑玩家狂热推崇,笔者也相信国内不少的电脑玩家已经是它的忠实FANS了。英飞凌DDR2内存颗粒编号也象上面海力士、三星一样有规可循,我们可以将其分成9部分来解读内存规格,下面我们以“HYB18T256800AF25”为例:

·HYB:就像现代的HY、三星的K4一样是为英飞凌内存颗粒的编号的前缀

·18:工作电压为1.8V

·T:DDR2

·256:容量为256MB,如果是512则为256MB,1G则为1GB

·80:位宽为×8,如果是40位宽则为×4,如果是16位宽则为×16

·0:Standard product(标准产品)

·A:封装版本

·F:封装形式为FBGA

·25:表示这是一款DDR2 800颗粒,如果是37则为DDR2 533(4-4-4),如果是3则为DDR2 677(4-4-4)。在速度标准中,英飞凌的芯片还有一种3S的参数,代表DDR2-667(5-5-5)。

英飞凌DDR2颗粒在品质上都属于上乘货色,超频性也不错,目前采用英飞凌颗粒的厂商有Infineon、金士顿、宇瞻等内存模块厂商。

4、尔必达(ELPIDA)

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在DDR时代,ELPIDA这个品牌对于广大国内用户来说还很陌生,这家专业内存模组制造商其实是由原来NEC和日立分别出资50%股份建造的合资公司,也是日本最大的台式PC和笔记本内存模组/颗粒生产商。不过随着DDR2内存上市,很多产品上都能见到尔必达颗粒。下面我们就以介绍“E2508AB-GE-E”为例来介绍尔必达内存颗粒编号的含义:

·尔必达DRR2内存颗粒的编号的第1位“E”代表DDR2

·第2、3位代表容量/逻辑Bank数。本例中“25”为256Mb/4Banks,而“51”为512Mb/4Banks、“11”为1Gb/8Banks

·第4、5位代表位宽。本例中"08"代表x8,其它如“04”代表x4、“16”代表x16

·第6位代表接口类型。“A”代表SSTL_1.8

·第7位是产品代数,“B”为第二代,字母顺序越靠后越好

·第9、10位代表运行速度,本例中“GE”为5-5-5@DDR2 800

·第12位代表材料。“E”为无铅

尔必达颗粒的品质也非常好,且超频性也不错,是部分懂行内存发烧友的至爱。比如KingMAX、GEIL、威刚不少超频内存就是采用此类DDR2颗粒,一般都可以从DDR2-677超到DDR2-800的规格。采用英飞凌颗粒的厂商有KingMAX、GEIL、威刚、PQI(劲永)等内存模块厂商。

5、美光(Micron)

美光的DDR2内存芯片编号比较特别,封装上的编号并不是正规的编号,从编号上一般只能识别出这是颗粒的生产日期和产地编号,但是在芯片上也找不到美光所公布的正规编号。对于这种情况,用户只需将颗粒表面的第二行编号(又称为FBGA码)输入到相关页面上(http://www.micron.com/support/fbga/decoder.aspx)查询规格。

值得一提的是,虽然从编号识美光内存颗粒的规格还有一定的障碍,但仍有几款内存颗粒的超频性能特别优异,它们就是被玩家称为“fatboy d9”的D9内存颗粒。D9内存颗粒最早的编号全称为“FBGA D9”,由于五位编号会以“D9”为起始,所以也被称为“D9”颗粒。

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“Fatboy”D9昵称的由来是其110纳米制造工艺导致的芯片体积,然而先进工艺=更好性能的惯例此次被打破,这种样子夸张的内存芯片对工作电压的提高有极好的正面反馈,2.4V以上工作电压的“Fatboy”D9芯片DDR2 400/533内存模组有很多可以把内存时序调节到3-2-2(DDR2 SDRAM支持的最快时序)并且工作在DDR2-800以上的频率上,如果是4-3-2设定,这些怪物突破DDR2-1000频率也不是难事。

要知道这样的成绩是在04、05年生产的DDR2-400/533内存芯片上实现的,其他厂商的DDR2 SDRAM内存芯片的超频能力根本无法望其项背。此前Crucial、CORSAIR、mushkin、Patriot、OCZ、GEIL等多家DDR2 533超频内存大多数就是采用此类内存颗粒。但也不是所有的D9都好超,像绿色PCB上的就是普通颗粒,超频能力并不理想。

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除了“FBGA D9”颗粒之外,美光还推出了D9GKX、D9GHM、D9DCN等新的D9颗粒。其中该系列内存精选口碑出众的镁光D9GMH颗粒,在MT将DDR2内存颗粒制程由110纳米转向90纳米后,FATBODYD9就很少见到了,取而代之的就是现在很多内存厂商封装记忆体时优先选用的小D9颗粒。这些编号为D9GMH、D9GCT、D9GKX等的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9低时序能力和对电压敏感的前提下,把4-4-4时序下的频率上限提高到了DDR2-1100附近!而极限运行频率更达到约1200MHz!能实现如此超频目标的芯片本身规格仍旧是DDR2-533/667。

另外,还有易胜(Elixir)、南亚等内存颗粒,在性能上属于中规中距,因此在这里就不再一一介绍了。如遇到颗粒表面覆盖了散热片或者颗粒表面已被内存厂商重新标注的情况,显然无法再用前面所讲的方法识别内存颗粒的标准规格。虽然用CPU-Z可以查到内存的相关信息,但并不能保证完全准确,因此我们建议大家最好是向厂商咨询。

  

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