作为大规模集成电路（LSI）的半导体存储器，在使用中有时会突然发生存储单元误动作的现象，这就是所谓“软失效”（或软击穿，soft-error）。
微电子百科-中国微电子网（1）产生软失效的机理：
软失效主要是由于α射线进入到Si中而产生出大量载流子所引起的。
因为Si材料或者管壳材料中都或多或少地含有U、Th等放射性元素，这些元素的原子核裂变时即产生出α射线；α射线可深入到Si中20～30μm，并且在每1μm内可产生10fC的电子-空穴对；产生的这些载流子电荷即可破坏存储器中所保存的数据——失效，但这种破坏作用是暂时性的，因此称为软失效。
（2）防止软失效的措施：
①存储单元的电容量要适当大一些（约为30fF以上，大约存储有50万个电子的电荷），以保证不会因一个α粒子的电离作用而导致误动作。所以在DRAM的设计中，需要考虑的是如何在最小的硅片面积上来获得最大的电容量，以避免产生软失效。^*-& ......*^..
②提高半导体、管壳等所用材料的纯度，以尽量减少放射性元素的影响。
③在集成电路芯片上涂敷一层数十μm的聚合物薄膜，以阻止来自管壳α射线的侵入。
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