爱华网世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一、杰出的教育家、中国科学院院士，瑞典皇家科学院外籍院士、第三世界科学院院士，中国人民政治协商会议全国委员会第五、六、七、八届常务委员，中国共.产党优秀党员，九三学社社员，全国“五一”劳动奖章获得者，2001年度国家最高科学技术奖获得者，中国科学院半导体研究所名誉所长黄昆院士因病医治无效，于2005年7月6 日16 时17分在北京逝世，享年86岁。
黄昆中国半导体物理学奠基人
黄昆院士，1919年出生于北京市，是中国著名的固体物理学家，也是世界著名的物理学家。他在固体物理学科做出了许多开拓性的重大贡献，对推动固体物理学的发展起了重要作用，是中国半导体物理学奠基人。
江泽民同志向黄昆先生颁发国家科学技术最高奖
黄昆在固体物理学的一些领域中，进行了开拓性工作。1947年黄昆提出固体中杂质缺陷导致X射线漫散射的理论，20世纪70年代已为国外一些科学家所证实和应用，成为研究固体中杂质缺陷的一项有力的手段，被称为“黄散射”。
1951年黄昆提出了晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式，1963年被喇曼散射实验所证实，被命名为极化激元，后来发现其他物质振动也有类似的与电磁波的耦合模式，也被称为极化激元。现在极化激元已经成为分析固体某些光学性质的基础。黄昆当时提出的方程，被称为“黄方程”。黄昆与M.玻恩合著的《点阵动力学理论》(Dynamical Theory of Crystal Lattices，1954年出版，1957年苏联译成俄文出版)一书是公认的这一学科领域的一部权威著作。
黄昆与郑厚植院士(左一)和夏建白院士
1978年以来黄昆在固体理论研究方面又取得了新的进展。其中关于无辐射跃迁绝热近似和静态耦合理论等价性的证明，澄清了20多年来国际上在这方面理论发展中存在的一些根本性的问题;黄昆提出的无辐射跃迁中声子的统计规律性，有可能为这一领域的研究开辟新的方向。这些成果正引起国际物理学界的关注。
