vkink电路 Kink效应
Kink效应,也就是翘曲效应(Kink effect):这是有关MOSFET特性的一个问题。
Kink效应是指场效应晶体管的漏极电流与漏极电压的非饱和特性。产生的原因是由于在高的漏极电压下,漏端附近的载流子会产生雪崩倍增,从而使漏极电流随漏极电压而迅速增加;把硅外延层连结到源电极上,则可明显改善漏极电流-电压的饱和特性。
对于硅/蓝宝石(SOS)隔离、或者硅/绝缘体(SOI)隔离的MOSFET,还有另外一个原因,就是其上的外延硅没有接地,即电位浮空性;当漏极的反偏pn结流过电流时,会使硅外延层的电位提高,从而增加了沟道电导,故随着漏电压的增大,漏电流也增大,形成非饱和特性。
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