爱华网铌酸锂晶体_铌酸锂晶体 -图书信息
作 者：杨春晖，孙亮，冷雪松等 著
出 版 社：科学出版社
页数：361
开本：16开
纸张：胶版纸
出版时间：2009-11-1
铌酸锂晶体_铌酸锂晶体 -内容简介
《光折变非线性光学材料：铌酸锂晶体》介绍用提拉法和顶上籽晶溶液法生长同成分和近化学计量比掺杂铌酸锂晶体，研究其晶体生长工艺、缺陷结构、抗光损伤、光学性能、光折变性能、全息存储性能和倍频性能，并介绍大容量体全息存储、位相共轭、全息关联存储、波导和倍频的应用研究。全书分掺杂铌酸锂晶体的基础理论、铌酸锂晶体应用基础理论和应用研究等三大部分，共十七章。《光折变非线性光学材料：铌酸锂晶体》可供材料、物理、化工和光信息存储等专业的科技人员和研究生参考。
铌酸锂晶体_铌酸锂晶体 -目录
前言
第一章 铌酸锂晶体
1.1 铌酸锂晶体概述
1.2 铌酸锂晶体掺杂改性
1.3 掺杂铌酸锂晶体的应用
1.3.1 光学体全息存储
1.3.2 热固定法
1.3.3 电固定法
1.3.4 双光子固定法
1.3.5 单掺杂或非掺杂双光子固定法
1.3.6 双掺杂双光子固定法
1.4 光折变晶体的位相共轭
1.5 全息关联存储
1.6 集成光学的应用
1.6.1 光波导简述
1.6.2 光波导理论
1.6.3平面光波导的传播模式
1.6.4 激光光束与波导之间的耦合方式
1.6.5 基片的制备
1.7 非线性光学的应用
参考文献
第二章 铌酸锂晶体的生长
2.1 提拉法生长铌酸锂晶体
2.1.1 原料合成
2.1.2 原料的预烧结
2.1.3 晶体生长
2.1.4 设备安装
2.1.5 溶质分疑和组分过冷
2.1.6 铌酸锂晶体生长的工艺参数
2.1.7 晶体生长过程
2.1.8 晶体的极化
2.1.9 晶体的加工
2.2 单掺杂LiNbO3晶体的生长
2.2.1 晶体生长和样品的制备
2.2.2 提高铌酸锂晶体光折变效应的掺杂浓度
2.2.3 氧化和还原处理
2.3 单掺和双掺杂铌酸锂晶体（抗光损伤杂质）的生长
2.3.1 掺抗光损伤杂质LiNbO3晶体的生长工艺
2.3.2 防止晶体开裂
2.3.3 生长条纹及其抑制
2.4 不同Li/Nb比LiNbO3晶体的生长
2.5 化学计量比铌酸锂晶体的生长
2.5.1 双坩埚技术
2.5.2 气相交换平衡法
2.5.3 顶上籽晶熔液生长（TSSG）法（熔盐提拉法）生长化学计量比铌酸锂
晶体
2.6 提拉法生长晶体的优缺点
2.7坩埚下降法生长LiNbO3晶体
参考文献
第三章 铌酸锂晶体的光折变效应
3.1 光折变效应简介
3.2 光折变效应的特点
3.3 光折变效应的发展
3.4 光激发电场载流子的产生
3.5 电荷载流子的输运
3.5.1 扩散
3.5.2 漂移
3.5.3 光生伏打效应
3.5.4 电荷输运方程
3.6 光折变效应基本方程
3.7 光致空间电荷场
3.8 LiNbO3晶体中的光折变中心
3.9 光折变效应的物理过程
3.9.1 In：Ce：Cu：LiNbO3晶体中载流子输运模型
3.9.2 双光子LiNbO3晶体的光伏场与光强的关系
参考文献
第四章 铌酸锂晶体的结构及缺陷
4.1 铌酸锂晶体的基本结构
4.2 铌酸锂晶体的本征缺陷结构
4.3 铌酸锂晶体的非本征缺陷结构
4.3.1 二价掺杂离子的占位
4.3.2 高价掺杂离子的占位
4.4 铌酸锂晶体中Li/Nb比对结构和性能的影响
4.4.1 Li/Nb比对铌酸锂晶体Raman谱线宽的影响
4.4.2 Li/Nb比对铌酸锂晶体居里温度的影响
4.4.3 Li/Nb比对铌酸锂晶体折射率的影响
4.4.4 Li/Nb比对相匹配角和相匹配温度的影响
4.4.5 Li/Nb比对铌酸锂晶体密度和晶胞参数的影响
4.4.6 Li/Nb比对铌酸锂晶体光折变性能的影响
4.5 其他电荷输运模型
4.5.1 电子一空穴竞争模型
4.5.2 双中心电荷输运模型
4.5.3 三价态电荷输运模型
参考文献
第五章 铌酸锂晶体的生长基元与结晶形貌
5.1 化学键
5.2 晶体构型与化学键
5.3 晶体生长理论模型概述
5.4 铌酸锂晶体的形貌
5.4.1 晶体的结晶形貌
5.4.2 LN晶体结构与形貌
5.5 LN熔体结构与生长基元
5.5.1 LN熔体结构
5.5.2 LN晶体生长基元
5.6 铌酸锂晶体的结晶习性
5.6.1 铌酸锂晶体结晶学特征
5.6.2 铌酸锂结晶习性
5.7 影响晶体结晶形态的因素
参考文献
第六章 掺杂铌酸锂晶体双光束耦合及光折变性能
6.1 双光束耦合理论
6.2 掺杂铌酸锂薄晶体指数增益系数
6.2.1 双光束耦合实验
6.2.2 基于大角光致散射的机理分析
6.3 Ce：Mn系列LiNbO3晶体的光学性能和光折变性能
6.3.1 Ce：Mn系列铌酸锂晶体的原料配比
6.3.2 差热分析结果
6.3.3 晶体的极化及氧化还原处理
6.3.4 氧化还原处理
6.3.5 红外光谱测试结果
6.3.6 OH一吸收峰移动机理研究
6.3.7 紫外一可见吸收光谱分析
6.3.8 Li/Nb比对Ce：Mn：LiNbO3的指数增益系数的影响
6.3.9 双光束耦合衍射效率测试
6.3.1 0温度对Ce：Mn：LiNbO3晶体的指数增益系数的影响
参考文献
第七章 双掺杂铌酸锂晶体光折变效应
7.1 双掺杂铌酸锂晶体光折变增强的理论研究
7.1.1 双掺杂晶体中载流子输运模型
7.1.2 双掺杂晶体的光折变动力学方程
7.1.3 速率方程的稳态解
7.2 双掺杂铌酸锂晶体光折变增强的实验研究
7.3 Ce：Fe：LN晶体的光学性能和光折变性能
7.3.1 Ce：Fe：LN晶体的成分配比
7.3.2 居里温度
7.3.3 Ce：Fe：LN晶体的极化
7.3.4铈铁系铌酸锂晶体晶格常数的计算及其结构分析
7.3.5 紫外一可见光吸收光谱
7.3.6 基础吸收边移动机理
7.3.7 Ce：Fe：LN晶体的光折变性能
参考文献
第八章 掺杂铌酸锂晶体全息存储性能研究
8.1 衍射效率
8.1.1 静态型全息光栅的衍射效率
……
第九章 掺杂铌酸锂晶体全息存储及其应用
第十章 光折变晶体中位相共轭效应及温度效应
第十一章 铒系列铌酸锂晶体的光学性能
第十二章 镁系列和锌系列铌酸锂晶体的光折变性能
第十三章 锢系列和钪系列铌酸锂晶体的光折变性能
第十四章 锆系列铌酸锂晶体光折变性能
第十五章 铪系列铌酸锂晶体光折变性能
第十六章 近化学计量比铌酸锂晶体的光学性能和光折变性能
第十七章 掺杂铌酸锂晶体倍频性能研究
铌酸锂晶体_铌酸锂晶体 -精彩书摘
目前，光折变晶体全息存储的固定方法根据原理的不同主要分为两类：离子固定法和双光子固定法。离子固定法包括热固定和电固定法。离子固定是指，当光折变晶体在受热或外加电场时内部离子可以移动，而当冷却或有外加电场时内部离子不能移动，利用光折变晶体的这一特性来实现全息存储固定。双光子固定法是目前非常引人注目的非挥发性存储方法，包括掺杂双光子固定法（也称为两步记录法）和双掺杂双光子固定法。双光子固定法是指，在进行光栅记录过程中同时有不同频率的两束光照射晶体，其中有在开关光存在时对记录光敏感，能实现全息存储，而在开关光不存在时晶体对记录光不敏感，因此读出光便无法擦除所存储的信息。双光子固定法直接采用全光的方法记录与擦除，与热固定法相比，它读写与擦除效率速度快，数据转换效率高，具有极好的应用前景。这种方法是利用两种能量不同的光子来产生载流子（如图1.1，只考虑载流子是电子的情况），第一个光子将-处于深能级的电子激发到靠近导带的中间能级，当电子暂时处于中间能级时，第二个光子（与第一个光子频率不同）将电子激发到导带上，电子在导带上迁移、扩散、最终被深浅陷阱俘获，形成位相光栅。当用波长较长的光束读取信息时，由于它的能量不足以将较深能级中的电子激发出来，因而它就不会擦除位相光栅。当需要擦除时用两束光同时照射或用波长较短的光（开关光）单独照射。
1.3.5单掺杂或非掺杂双光子固定法
对于非掺杂的同成分铌酸锂晶体，双光子固定法是利用晶体的本征缺陷来实现的。在同成分铌酸锂晶体中，本征缺陷包含反位铌Nb4L+离子，它在晶体内充当浅能级。
