爱华网IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用着称的HEXFET设计，使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
irf3205_irf3205 -概述
IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用着称的HEXFET设计，使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
irf3205_irf3205 -参数信息
Package TO-220AB
Circuit Discrete
Polarity N
VBRDSS = 55 V
RDS(on) = 8.0 mOhms ID @ 25C = 98 A ID @ 100C = 69 A Qg Typ 97.3
Qgd Typ 36.0
Rth(JC) 1.00
irf3205
Power Dissipation = 150 W
PbF - FETD PbF Option Available
irf3205_irf3205 -特性介绍
先进的工艺技术 贴片安装 低端通孔安装 超低导通阻抗 动态dv/dt率 175℃工作温度 快速转换速率 无铅环保
irf3205
irf3205_irf3205 -作用内容
逆变器及高频鱼机使用挺多的一种效应管
