爱华网74HCT164是高速硅门 CMOS 器件，与低功耗肖特基型 TTL (LSTTL) 器件的引脚兼容。74HC164、74HCT164是8位边沿触发式移位寄存器，串行输入数据，然后并行输出。数据通过两个输入端（DSA 或 DSB）之一串行输入；任一输入端可以用作高电平使能端，控制另一输入端的数据输入。两个输入端或者连接在一起，或者把不用的输入端接高电平，一定不要悬空。
74hc164_74HC164 -设备概述
8 位串入、并出移位寄存器
74HC164
74HC164、74HCT164 是高速硅门 CMOS 器件，与低功耗肖特基型 TTL (LSTTL) 器件的引脚兼容。74HC164、74HCT164 是 8 位边沿触发式移位寄存器，串行输入数据，然后并行输出。数据通过两个输入端（DSA 或 DSB）之一串行输入；任一输入端可以用作高电平使能端，控制另一输入端的数据输入。两个输入端或者连接在一起，或者把不用的输入端接高电平，一定不要悬空。
时钟 (CP) 每次由低变高时，数据右移一位，输入到 Q0， Q0 是两个数据输入端（DSA 和 DSB）的逻辑与，它将上升时钟沿之前保持一个建立时间的长度。
主复位 (MR) 输入端上的一个低电平将使其它所有输入端都无效，同时非同步地清除寄存器，强制所有的输出为低电平。
74hc164_74HC164 -设备特性
门控串行数据输入 异步中央复位 符合 JEDEC 标准 no. 7A 静电放电 (ESD) 保护：
・HBM EIA/JESD22-A114-B 超过 2000 V
・MM EIA/JESD22-A115-A 超过 200 V 。 多种封装形式 额定从 -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C 。
74hc164_74HC164 -温度区别
74HC164 ：下限温度 -40度 上限温度85度
54HC164： 下限温度 -55度 上限温度125度
74hc164_74HC164 -极限参数
直流电压 VDD：l-0.5V――7V
输入钳位电流 ：-20MA―20MA
输出钳位电流 ：-20MA―20MA
连续输出电流：-25MA―25MA
通过VCC 或GND的电流：-50MA―50MA
74HC164
引脚焊接温度：+265度
74hc164_74HC164 -引脚说明
1 A B ：与门数据输入端
2 QA―QH：并行数据输出端
3 CLR： 异步清零输入端
4 CLK：时钟输入端
74HC164
图7－2 74HC164的引脚
5 内部参数
操作说明
真值表
1640CLR CLK A BQA QB QC QD QE QF QG QHL?????? --?? --? ?--L????? ?L?? L ?? L? ?L???? ?L?? L? ?LH????? L??? --?? --QA0 QB0 QC0 QD0 QE0 QF0 QG0 QH0H 上升? H ?HH QAN ―――――――――――――― QHH? 上 升 L --L QAN―――――――――――――― QH
注解：
1 QA0 QB0 QC0 QD0 QE0 QF0 QG0 QH0稳定状态输入条件被确定前的电平
2 QAN QBN QCN QDN QEn QFN QGN QHN 最近CLK上升前QA ――QH的电平
74hc164_74HC164 -其它
引脚信息
DIP14、SO14、SSOP14 和 TSSOP14 封装的引脚配置
引脚说明
符号引脚说明DSA1数据输入DSB2数据输入Q0~Q33~6输出GND7地 (0 V)CP8时钟输入（低电平到高电平边沿触发）/M/R9中央复位输入（低电平有效）Q4~Q710~13输出VCC14正电源功能表
工作模式输入输出/M/RCPDSADSBQ0Q1 至 Q7复位（清除）LLXXL:L至L移位H↑llL:qo至q6H↑lhLq0 至 q6H↑hlLq0 至 q6H↑hhHq0 至 q6H = HIGH（高）电平
h = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 (set-up time) 的 HIGH（高）电平
L = LOW（低）电平
l = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 (set-up time) 的 LOW（低）电平
q = 小写字母代表先于低-至-高时钟跃变一个建立时间的参考输入 (referenced input) 的状态
↑ = 低-至-高时钟跃变
极限值
符合绝对最大额定值体系 (IEC 60134) 的规定。电压参考点为 GND（地 = 0 V）。
对于 DIP14 封装：Ptot 在超过 70 °C 时以 12 mW/K 的速度线性降低。
对于 SO14 封装：Ptot 在超过 70 °C 时以 8 mW/K 的速度线性降低。
对于 SSOP14 和 TSSOP14 封装：Ptot 在超过 60 °C 时以 5.5 mW/K 的速度线性降低。
对于 DHVQFN14 封装：Ptot 在超过 60 °C 时以 4.5 mW/K 的速度线性降低。
