爱华网at89s51_89S51 -AT89S51/LS51的特性
89S51 在工艺上进行了改进，89S51 采用 0.35nm 新工艺，成本降低,而且将功能提升,增加了竞争力。89SXX 可以像下兼容89CXX 等51 系列芯片。市场上见到的89C51 实际都是Atmel 前期生产的巨量库存而以。如果市场需要，Atmel当然也可以再恢复生产AT89C51。 AT89S51/LS51 单片机是低功耗的、具有4KB在线课编程Flash存储器的单片机。它与通用80C51系列单片机的指令系统和 引脚兼容。片内的Flash可允许在线重新编程，也可使用非易失性 存储器编程。他将通用CPU和在线可编程Flash集成在一个芯片上，形成了功能强大、使用灵活和具有较高性能性价比的微控制器。
AT89S51/LS51具有如下特性：
--指令架构：CISC（复杂指令）
--最大吞吐量：3MIPS
--片内 程序存储器含有4KB的Flash存储器，允许在线编程，檫写周期可达1000次；
--片内数据 存储器内含128字节的RAM；
--I/O口具有32根可编程I/O线；
--具有两个16位I/O线；
-- 中断系统具有6个 中断源、5个终端矢量、2个 中断优先级的中断结构；
-- 串行口是一个全双工的 串行通信口；--具有两个数据指针DPTR0和DPTR1；
--低功耗节电模式有节电模式和掉电模式；
--包含3级程序锁定位；
--AT89S51的电源电压为4.0-5.5V，AT89LS51的电源电压为2.7-4.0V；
--振荡器频率0-33MHz（AT89S51），0-16MHz(A-T89LS51);
--具有片内 看门狗定时器（WatchDog）；
--灵活的在线片内编程模式（字节和页编程模式）；
--具有断电标志模式POF.
--具有6个中断源
--具有2个计数/定时器
--具有1个串口
at89s51_89S51 -引脚功能
--P0口――8位、开漏极、双向I/O口。 P0口可作为通用I/O口，但必须外接上拉电阻；作为输出口，每个引脚可
89S51芯片的引脚排列
吸收8个TTL的灌电流。作为输入时，首先应将引脚置1。 P0口也可用作外部 程序存储器和数据存储器是的低八位地址/ 数据总线的复用线。在该模式下，P0口含有内部上拉电阻。 在Flash 编程时，P0口接受代码数据；在 编程校验时，P0口输出代码字节数据（需要外接上拉电阻）。
--P1口――8位、双向I/O口、内部含有行拉电阻。 P1可作为普通I/O口。输出缓冲器可驱动4个TTL负载；用作输入时，先交 引脚置1，有片内上拉电阻将其抬到高电平。P1口的 引脚可由外部负载拉倒低电平，通过上拉电阻提供拉电流。 在Flash并行 编程和校验时，P1口可输入低字节地址。在串行 编程和校验时，P1.0/MOSI,P1.6/OSI和P1.7/SCK分别是串行数据输入、输出和移位脉冲 引脚。I/O具有内部拉电阻的8位双向I/O。
--P2口用作输出口时，可驱动四个TTL负载；用作输入口时，先将 引脚置1，由内部上拉电阻将其提高到高电平。若负载为低电平，则通过内部上拉电阻向外输出电流。 CPU访问外部16位地址的 存储器时，P2口提供高8位的地址。当CPU用8位地址 寻址外部 存储器时，P2口为P2 特殊功能寄存器内容。 在FLASH并行 编程和校检时，P2口可输入高字节地址和某些 控制信号。
--P3口――局有内部上拉电阻8位双向口。 P3口左忽出口时，输出缓冲器可吸收4个TTL的灌电流；用作输入口时，手先将 引脚置1，有内部上拉电阻抬为高电平。若外部负载是低电平，则通过内部上拉电阻向外输出电流。 在与FLASH并行 编程和校检时，P3口可输入某些 控制信号。
