爱华网氮化硅，化学式为Si3N4，是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面，不仅可以提高柴油机质量，节省燃料，而且能够提高热效率。我国及美国、日本等国家都已研制出了这种柴油机。
氮化硅_氮化硅 -晶体结构和特性
蓝色圆球是氮原子，灰色圆球是硅原子
氮化硅
氮化硅(Si3N4)存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相。α和β两相是Si3N4最常出现的型式，且可以在常压下制备。γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35GPa。
氮化硅_氮化硅 -合成方法
六方 β-SiN
可在1300-1400℃的条件下用单质硅和氮气直接进行化合反应得到氮化硅：
3 Si(s) + 2 N(g) → SiN(s)
也可用二亚胺合成
SiCl(l) + 6 NH(g) → Si(NH)(s) + 4 NHCl(s) 在0 ℃的条件下
3 Si(NH)(s) → SiN(s) + N(g) + 3 H(g) 在1000 ℃的条件下
或用碳热还原反应在1400-1450℃的氮气气氛下合成：
3 SiO(s) + 6 C(s) + 2 N(g) → SiN(s) + 6 CO(g)
对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的，需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末，二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。
电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的:
3 SiH(g) + 4 NH(g) → SiN(s) + 12 H(g)
3 SiCl(g) + 4 NH(g) → SiN(s) + 12 HCl(g)
3 SiClH(g) + 4 NH(g) → SiN(s) + 6 HCl(g) + 6 H(g)
如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：
利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。
先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是：
SiO(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g)
3 SiO(g) + 2 N(g) + 3 CO(g) → SiN(s) + 3 CO(g) 或
3 SiO(g) + 2 N(g) + 3 C(s) → SiN(s) + 3 CO(g)
氮化硅_氮化硅 -特点
除氢氟酸外，它不与其他无机酸反应(反应方程式：Si3N4+12HF
