爱华网EEPROM,EPROM,FLASH?都是基于一种浮栅管单元(Floating?gate?transister)的结构。?EPROM?的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,EEPROM?的?单元是由FLOTOX(Floating-?gate?tuneling?oxide?transister)及一个附加的Transister?组成,由于FLOTOX?的特性及两管结构,所以可以单元读/写。技术上,FLASH?是结合EPROM?和EEPROM?技术达到的,很多FLASH?使用雪崩热电子注入方式来编程,擦除和EEPROM?一样用?Fowler-Nordheim?tuneling。但主要的不同是,FLASH?对芯片提供大块或整块的擦除,这就?降低了设计的复杂性,它可以不要?EEPROM?单元里那个多余的Tansister,所以可以做到高集?成度,大容量,另FLASH?的浮栅工艺上也不同,写入速度更快。?
其实对于用户来说,EEPROM?和FLASH?的最主要的区别就是?
1。EEPROM?可以按“位”擦写,而FLASH?只能一大片一大片的擦。?
2。EEPROM?一般容量都不大,如果大的话,EEPROM?相对与FLASH?就没有价格上的优势了。?市面上卖的stand?alone?的EERPOM?一般都是在64KBIT?以下,而FLASH?一般都是8MEG?BIT?以上(NOR?型)。?
3。读的速度的话,应该不是两者的差别,只是（硕士论文）EERPOM?一般用于低端产品,读的速度不?需要那么快,真要做的话,其实也是可以做的和FLASH?差不多。?
4。因为EEPROM?的存储单元是两个管子而FLASH?是一个(SST?的除外,类似于两管),?所以CYCLING?的话,EEPROM?比FLASH?要好一些,到1000K?次也没有问题的。
总的来说,对与用户来说,EEPROM?和FLASH?没有大的区别,只是EEPROM?是低端产品,?容量低,价格便宜,但是稳定性较FLASH?要好一些。?但对于EEPROM?和FLASH?的设计来说,FLASH?则要难的多,不论是从工艺上的还是从外围?电路设计上来说。?
Flash?memory?指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM?的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品?有不同的规格),?而EEPROM?则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在?PC?机的主板上,用来保存BIOS?程序,便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作?为硬盘的替代品,具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM?就显?得不合适,因为RAM?需要能够按字节改写,而Flash?ROM?做不到。?
ROM?和RAM?指的都是半导体存储器,ROM?是Read?Only?Memory?的缩写,RAM?是Random?Access?Memory?的缩写。ROM?在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM?通常都是在掉电之后?就丢失数据,典型的RAM?就是计算机的内存。?
RAM?有两大类,一种称为静态RAM(Static?RAM/SRAM),SRAM?速度非常快,是目前读写最?快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU?的一级缓?冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic?RAM/DRAM),DRAM?保留数据的时间很短,速度?也比SRAM?慢,不过它还是比任何的ROM?都要快,但从价格上来说DRAM?相比SRAM?要便宜很多,?计算机内存就是DRAM?的。?
EEPROM与Flash区别_eeprom
DRAM?分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR?RAM、RDRAM、?SGRAM?以及WRAM?等,这里介绍其中的一种DDR?RAM。DDR?RAM(Date-Rate?RAM)也称作DDR?SDRAM,?这种改进型的RAM?和SDRAM?是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,?这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,?事实上击败了Intel?的另外一种内存标准-Rambus?DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高?速DDR?RAM?来提高带宽,这可以大幅度提高3D?加速卡的像素渲染能力。?
ROM?也有很多种,PROM?是可编程的ROM,PROM?和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,?PROM?是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能?使用了,而EPROM?是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种?EEPROM?是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。?举个例子,手机软件一般放在EEPROM?中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存?在SRAM?中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM?中),因为当时有很重要工作(通?话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。?
FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)?的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据?(NVRAM?的优势),U?盘和MP3?里用的就?是这种存储器。在过去的20?年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,?然而近年来?Flash?全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader?以?及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U?盘)。?
目前Flash?主要有两种NOR?Flash?和NADN?Flash。NOR?Flash?的读取和我们常见的SDRAM?的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR?FLASH?里面的代码,这样可以减少SRAM?的容量?从而节约了成本。NAND?Flash?没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一快的?形式来进行的,通常是一次读取512?个字节(我要论文),采用这种技术的Flash?比较廉价。用户不能直?接运行NAND?Flash?上的代码,因此好多使用NAND?Flash?的开发板除了使用NAND?Flah?以外,?还作上了一块小的NOR?Flash?来运行启动代码。?
一般小容量的用NOR?Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而?大容量的用NAND?FLASH,最常见的NAND?FLASH?应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk?On?Chip)?和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。目前市面上的FLASH?主要来自Intel,AMD,Fujitsu?和Toshiba,而生产NAND?Flash?的主要厂家有Samsung?和Toshiba。?
SRAM?是Static?Random www.wylunwen.com?Access?Memory?的缩写,中文含义为静态随机访问存储器,它是?一种类型的半导体存储器。"静态"是指只要不掉电,存储在SRAM?中的数据就不会丢失。这一?点与动态RAM(DRAM)不同,DRAM?需要进行周期性的刷新操作。?然后,我们不应将SRAM?与只?读存储器(ROM)和Flash?Memory?相混淆,因为SRAM?是一种易失性存储器,它只有在电源保持?连续供应的情况下才能够保持数据。"随机访问"是指存储器的内容可以以任何顺序访问,而?不管前一次访问的是哪一个位置。?
EEPROM与Flash区别_eeprom
SRAM?中的每一位均存储在四个晶体管当中,这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。?这个存储单元具有两个稳定状态,通常表示为0?和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制?读或写操作过程中存储单元的访问。因此,一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结?构使得SRAM?的访问速度要快于DRAM。?
SRAM?比DRAM?访问速度快的另外一个原因是SRAM （免费论文）可以?一次接收所有的地址位,而DRAM?则使用行地址和列地址复用的结构。?SRAM?不应该与SDRAM?相混淆,SDRAM?代表的是同步DRAM(Synchronous?DRAM),这与SRAM?是完全不同的。SRAM?也不应该与PSRAM?相混淆,PSRAM?是一种伪装成SRAM?的DRAM。?
从晶体管的类型分,SRAM?可以分为双极性与CMOS?两种。从功能上分,SRAM?可以分为异?步SRAM?和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM?的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变?化控制。同步SRAM?的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信?号均于时钟信号相关。
